RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上大面積単一ドメインエピタキシャルグラフェンの形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-PA2-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3415

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上大面積単一ドメインエピタキシャルグラフェンの形成

*道幸雄真, 今井宏友, 橋本明弘

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キーワード: 16a-PA2-11, ナノカーボン, 成長技術, グラフェン, エピタキシャルグラフェン

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