C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-H103-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1261

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

C-H多結晶ダイヤモンドMOSFETへの高電圧印加による電流特性変化

*牛俊雄, 許德琛, 山田哲也, 北林祐哉, 斎藤俊輝, 柴田将暢, 松村大輔, 工藤拓也, 稲葉優文, 平岩篤, 川原田洋

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キーワード: 19p-H103-14, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド薄膜, ダイヤモンド, 半導体

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