Si基板上の歪みGe薄膜のラマン評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-S223-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2872

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Si基板上の歪みGe薄膜のラマン評価

*酒井駿也, 山村和也, 西垣宏, 蓮池紀幸, 播磨弘, Woo Sik Yoo

著者情報

キーワード: 21p-S223-9, 半導体, 探索的材料物性・基礎物性, 不純物，欠陥，深い準位, ゲルマニウム, 歪み, ラマン分光法

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