第63回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 20p-S221-8
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会春季学術講演会
回次: 63
開催地: 東京工業大学
開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22
ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改善
キーワード:
20p-S221-8,
半導体,
絶縁膜技術,
メモリデバイス用絶縁膜（浮遊ゲート型、チャージトラップ型、抵抗変化型等）,
DRAM,
ZrO2,
ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造
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