FT-IR法を用いた強誘電性HfSiO膜の構造解析による電気特性のプロセス依存性に対する考察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S221-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2912

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

FT-IR法を用いた強誘電性HfSiO膜の構造解析による電気特性のプロセス依存性に対する考察

*上牟田雄一, 藤井章輔, 高石理一郎, 井野恒洋, 中崎靖, 齋藤真澄, 小山正人

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キーワード: 20p-S221-13, 半導体, 絶縁膜技術, その他, 強誘電体, HfO2

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