トランジスタプロセスへの応用へ向けたGe表面の酸素エッチング技術

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-S423-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2945

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

トランジスタプロセスへの応用へ向けたGe表面の酸素エッチング技術

*森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦

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キーワード: 19p-S423-16, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術, ナノプロセス, エッチング, Ge, 酸素

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