S/Mo比増加によるMoS<sub>2</sub>膜の低キャリア濃度化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S422-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3031

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

S/Mo比増加によるMoS₂膜の低キャリア濃度化

*大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

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キーワード: 20p-S422-2, 半導体, デバイス／集積化技術, 新材料デバイス（Si、Ge、III-V、酸化物チャネルなど）, 二硫化モリブデン, 2次元半導体, スパッタ

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