3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S422-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3032

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

*高橋正紘, 藤川紗千恵, 藤代博記, 入沢寿史, 富永淳二, 前田辰郎

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キーワード: 20p-S422-3, 半導体, デバイス／集積化技術, 新材料デバイス（Si、Ge、III-V、酸化物チャネルなど）, 半導体

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