応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第63回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 21a-W541-6
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価
折茂 力都, 大西 健太, *中村 成志, 奥村 次徳
著者情報
キーワード: 21a-W541-6, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, フォトキャパシタンス, 光イオン化断面積
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