応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第63回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 21a-W541-7
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの深さ方向ドナー密度分布解析における深い準位の影響
*須田 淳, 堀田 昌宏, 前田 拓也, 澤田 直暉, 木本 恒暢
著者情報
キーワード: 21a-W541-7, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, 縦型パワーデバイス, 深い順位
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