第63回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 22p-W541-3
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会春季学術講演会
回次: 63
開催地: 東京工業大学
開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22
50 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの雑音特性
キーワード:
22p-W541-3,
半導体,
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術,
III-V族半導体各種デバイス，プロセス技術・評価,
InGaAs,
高電子移動度トランジスタ,
雑音特性
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