蒸着SiO<sub>x</sub>膜を用いた<i>f</i><sub>T</sub> = 300GHz超InSb-HEMTの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 22p-W541-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3147

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製

*辻大介, 磯野恭佑, 竹鶴達哉, 藤川紗千恵, 渡邊一世, 山下良美, 遠藤聡, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

著者情報

キーワード: 22p-W541-2, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, III-V族半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, HEMT, InSb, デバイスプロセス

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top