水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単一量子ディスクナノLEDの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-H121-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3403

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるInGaN/GaN単一量子ディスクナノLEDの作製

*小川航平, 蜂屋諒, 水谷友哉, 石嶋駿, 菊池昭彦

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キーワード: 19p-H121-12, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ナノ構造, 窒化物半導体, ナノ構造, エッチング

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