高キャリア濃度n型<i>m</i>面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-H121-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3408

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

高キャリア濃度n型m面GaN単結晶におけるホットキャリアの輻射再結合ダイナミクス

*小島一信, 池田宏隆, 藤戸健史, 秩父重英

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キーワード: 20a-H121-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光物性（InGaN, InN）, GaN, Hot carrier

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