N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-H121-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3435

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光

*谷川智之, 正直花奈子, 片山竜二, 窪谷茂幸, 松岡隆志

著者情報

キーワード: 20p-H121-17, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, デバイス，プロセス, 窒化物半導体, 発光ダイオード, 窒素極性

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top