Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-H121-19

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3437

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

*岡田葵, 上杉謙次郎, 木村重哉, 坂野竜則, 吉田学史, 布上真也

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キーワード: 20p-H121-19, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, デバイス，プロセス, GaN, LED, 応力

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