m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-H121-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3464

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性

*大島一晟, 定昌史, 前田哲利, 鎌田憲彦, 平山秀樹

著者情報

キーワード: 21p-H121-11, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MOVPE）, 半極性, AlGaN, MOCVD

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top