表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P10-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3584

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上

*市川尚澄, 加藤正史, 市村正也

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キーワード: 21p-P10-4, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 電極, SiC, 光電極, エピタキシャル成長

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