界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P10-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3585

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価

*村瀬真悟, 三島友義, 中村徹, 塩島謙次

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キーワード: 21p-P10-5, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 電極, 界面顕微光応答法, n-SiC, イオン注入

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