熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P10-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3592

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善

*清水彩絵, 梁剣波, 新井学, 重川直輝

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キーワード: 21p-P10-12, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, パワーデバイス, SiC, ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

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