4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P10-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3593

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析

*金子智昭, 山崎隆浩, 田島暢夫, 奈良純, 清水達雄, 加藤弘一, 大野隆央

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キーワード: 21p-P10-13, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, 炭化硅素, 欠陥準位, 第一原理計算

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