タイリング法による直径7インチGaN自立結晶の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-A21-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_193

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

タイリング法による直径7インチGaN自立結晶の作製

*吉田丈洋, 今西正幸, 北村寿朗, 大高健治, 柴田真佐知, 今出完, 森勇介

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キーワード: 14p-A21-6, シンポジウム, 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－, GaN基板

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