応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第77回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 16a-B10-1
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

イオン注入およびFLAを用いたn+/p, p+/n Geにおける高活性化と浅い接合形成
*谷村 英昭, 河原崎 光, 加藤 慎一, 青山 敬幸, 小林 一平, 鈇田 博, 中島 良樹, 永山 勉, 濱本 成顕, 酒井 滋樹
著者情報
キーワード: 16a-B10-1, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術, 不純物導入技術／浅接合／過渡的増速拡散, ゲルマニウム, 浅接合, 高活性化
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (326K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2016 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top