P-GaNへのオーミックコンタクト形成における水素含有雰囲気の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14a-P6-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2844

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

P-GaNへのオーミックコンタクト形成における水素含有雰囲気の影響

*高橋昌靖, 筒井一生, 星井拓也, 角嶋邦之, 若林整, 岩井洋

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キーワード: 14a-P6-5, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム

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