N極性n型GaN上Niショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14a-P6-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2845

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

N極性n型GaN上Niショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

*寺島勝哉, 野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 松岡隆志, 鈴木秀明, 岡本浩

著者情報

キーワード: 14a-P6-6, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, 窒化物半導体, ショットキーダイオード

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top