重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3249

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

*高野修平, 牧野高紘, 原田信介, 児島一聡, 土方泰斗, 大島武

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キーワード: 14p-P9-13, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, 炭化ケイ素(SiC), シングルイベント効果

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