炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-A23-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3322

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

*廣瀬諒, 奥山亮輔, 門野武, 柾田亜由美, 古賀祥泰, 奥田秀彦, 栗田一成, 宮本直樹

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キーワード: 15p-A23-7, 結晶工学, 結晶評価，不純物・結晶欠陥, その他, 炭素クラスターイオン注入, 分子イオン注入, ゲッタリング技術

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