低バリア高さを有する強磁性トンネル接合用バリア材料の開発：MgGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>スピネル酸化物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14p-P10-37

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2139

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

低バリア高さを有する強磁性トンネル接合用バリア材料の開発：MgGa₂O₄スピネル酸化物

*介川裕章, 加藤侑志, Belmoubarik Mohamed, Cheng P.-H., 大坊忠臣, 下村尚治, 上口裕三, 伊藤順一, 與田博明, 大久保忠勝, 三谷誠司, 宝野和博

著者情報

キーワード: 14p-P10-37, スピントロニクス・マグネティクス, スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, GMR・TMR, 強磁性トンネル接合, スピネル

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