縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 16a-413-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2909

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究

*川内伸悟, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

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キーワード: 16a-413-2, 半導体, 絶縁膜技術, シリコン酸化膜／シリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜, 半導体, Si熱酸化膜

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