InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 15a-503-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3403

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関

*稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一

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キーワード: 15a-503-12, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MOVPE）, 窒化物半導体, 組成引き込み効果, 窒化インジウムガリウム

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