C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 16a-P5-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3557

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析

*鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎隆浩, 大野隆央, 梅田享英

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キーワード: 16a-P5-12, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, MOSFET, 界面欠陥, 電子スピン分光

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