FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-301-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3571

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動

古市貴大, 三原佳樹, 桝口和樹, *村上英一

著者情報

キーワード: 17a-301-11, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, パワーデバイス, SiC-MOSFET, FNストレス, FNトンネル電流

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top