4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-301-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3570

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

4H-SiC C面熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響

*木内祐治, 染谷満, 岡本大, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 米澤喜幸, 奥村元

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キーワード: 17a-301-10, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, 4H-SiC C面　窒化処理　熱酸化　FN電流　PF電流

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