ゲート埋込ナノ構造とMOSFET電流-電圧特性の相関に関する基礎検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 8p-A412-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1944

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

ゲート埋込ナノ構造とMOSFET電流-電圧特性の相関に関する基礎検討

*清水克真, 法元盛久, 大八木康之, 西尾俊平, 成瀬誠, 松本勉, 葛西誠也

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キーワード: 8p-A412-7, 応用物性, ナノエレクトロニクス, 量子・ナノデバイス, ナノ人工物メトリクス, デバイスシミュレーション

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