HfO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>界面における酸素空孔欠陥が及ぼすリーク電流の第一原理計算

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5a-C11-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2858

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

HfO₂/SiO₂界面における酸素空孔欠陥が及ぼすリーク電流の第一原理計算

*高木謙介, 小野倫也

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キーワード: 5a-C11-11, 半導体, 絶縁膜技術, 理論／シミュレーション, 半導体, 高誘電率材料, 酸化ハフニウム

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