Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-C11-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2867

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

*名倉拓哉, 川内伸悟, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

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キーワード: 5p-C11-9, 半導体, 絶縁膜技術, 理論／シミュレーション, シリコン, 第一原理計算

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