エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層の形成と評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 6a-PA9-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2869

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価

*繁澤えり子, 佐野良介, 池上和彦, 澤野憲太郎, 野平博司

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キーワード: 6a-PA9-1, 半導体, 絶縁膜技術, Ge／SiGe／ひずみチャネル, Ge, ALD

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