応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第78回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 7p-S22-6
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Mgイオン注入GaN層上に形成したノーマリーオフMOSFETの特性
*高島 信也, 上野 勝典, 田中 亮, 松山 秀昭, 江戸 雅晴, 中川 清和
著者情報
キーワード: 7p-S22-6, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, MOSFET, イオン注入
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (320K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2017 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top