チャネル層にInAlNを用いた薄膜トランジスタの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7a-A301-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3368

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

チャネル層にInAlNを用いた薄膜トランジスタの作製

*中村享平, 小林篤, 上野耕平, 太田実雄, 徳本有紀, 藤岡洋

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キーワード: 7a-A301-7, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 薄膜トランジスタ, 窒化物

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