GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7a-A301-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3367

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察

*山口智広, 佐々木拓生, 高橋正光, 尾沼猛儀, 本田徹, 荒木努, 名西やすし

著者情報

キーワード: 7a-A301-6, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, GaInN, 分子線エピタキシー, その場観察

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