Analysis of breakdown phenomena in 4H-SiC p-n junction diodes with a wide range of doping concentration

The 78th JSAP Autumn Meeting 2017

セッションID: 6a-A201-9

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Analysis of breakdown phenomena in 4H-SiC p-n junction diodes with a wide range of doping concentration

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