表面保護膜を用いた液中レーザードーピング法によりAlドープされた4H-SiCの電気特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 6a-A201-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3491

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

表面保護膜を用いた液中レーザードーピング法によりAlドープされた4H-SiCの電気特性評価

*土屋知大, 諏訪輝, 池田晃裕, 中村大輔, 浅野種正, 池上浩

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キーワード: 6a-A201-10, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, プロセス, 4H-SiC, ドーピング, Si保護膜

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