Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ作製におけるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>バッファ層による生成量増加のメカニズム

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7a-C11-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3707

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Rh触媒を用いた単層カーボンナノチューブ作製におけるAl₂O₃バッファ層による生成量増加のメカニズム

*丸山隆浩, 桐林星光, 才田隆広, 成塚重弥

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キーワード: 7a-C11-3, ナノカーボン, カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料, 成長技術, カーボンナノチューブ, Al2O3, CVD

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