Si加工基板の利用による原子層カルコゲナイドの位置制御成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 6a-C16-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3831

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Si加工基板の利用による原子層カルコゲナイドの位置制御成長

*入沢寿史, 岡田直也, 水林亘, 遠藤和彦, 森貴洋, 安藤淳, 佐々木将悟, 遠藤尚彦, 宮田耕充

著者情報

キーワード: 6a-C16-8, ナノカーボン, 層状物質, 成長技術, カルコゲナイド, 化学気層成長, 原子層

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top