直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-P3-19

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1273

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性

*内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦

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キーワード: 17p-P3-19, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, レーザ, 直截貼付, InP/Si

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