酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-C102-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1522

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

*永田善也, 清水拓磨, 竹内正太郎, 藤平哲也, 酒井朗

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キーワード: 18p-C102-11, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, メモリスタ, 抵抗変化メモリ, 酸化チタン

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