標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-C102-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1523

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

標準電極電位差を利用した3値記憶素子の作製

*渡邊佑紀, 清水亮太, 西尾和記, 杉山一生, リウウェイ, 渡邉聡, 一杉太郎

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キーワード: 18p-C102-12, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, 多値メモリ, 界面, Liイオン伝導体

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