SiO<sub>2</sub>/Si構造の真空紫外光電子分光分析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-B301-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3005

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

SiO₂/Si構造の真空紫外光電子分光分析

*今川拓哉, 大田晃生, 田岡紀之, 藤村信幸, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

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キーワード: 18p-B301-2, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 界面, 紫外光電子分光

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