絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマCVD SiO<sub>2</sub>膜に対するXPSによる表面帯電評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-B301-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3006

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

絶縁体表面帯電の自己補償機構の解明に向けたプラズマCVD SiO₂膜に対するXPSによる表面帯電評価

*牛丸晃太, 張江貴大, 小林大輔, 山本知之, 廣瀬和之

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キーワード: 18p-B301-3, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 表面解析技術, 絶縁体, チャージアップ, X線光電子分光法

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