TSVを用いたSCM/NAND型フラッシュメモリのハイブリッドSSDにおけるSCMの仕様の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-P8-19

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3187

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

TSVを用いたSCM/NAND型フラッシュメモリのハイブリッドSSDにおけるSCMの仕様の評価

*鈴木敦也, 杉山佑輔, 松井千尋, 竹内健

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キーワード: 17p-P8-19, 半導体, デバイス／集積化技術, 不揮発性メモリ（Flash、ReRAM、MRAM、FeRAMなど）, 貫通電極

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